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一、LED龙头突进半导体领域
三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。公司凭借强大的企业实力，继年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业，建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后，年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区，斥资亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。
1.1携手产业基金，从LED向半导体迈进
三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产与销售，总部及产业基地布局在厦门、天津、安徽、福建等多地。
从LED到化合物半导体，产业链垂直化整合布局。公司从Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料应用开始，以芯片为核心主业，分为可见光、不可见光、通讯以及功率转换等领域。一方面，公司传统的可见光业务迅速发展，LED产能不断扩张，并紧随行业发展趋势，积极布局新应用领域MiniLED、Micro-LED等；一方面，公司积极推进不可见光业务布局，稳步推进砷化镓PA和氮化镓电力电子集成芯片国内外客户验证，进一步推进光通讯和滤波器业务布局。传统业务与新型业务齐头并进，巩固公司行业龙头地位。
联合产业基金战略布局III-V族化合物，未来成长动能充沛。三安光电同时与华芯投资管理有限责任公司（大基金的唯一管理机构）、国家开发银行、福建三安集团有限公司约定四方建立战略合作关系，大力支持公司发展以Ⅲ-V族化合物半导体为重点的集成电路业务。
继续引入战略投资者，有望顺利改善控股股东财报结构。根据年1月21日公告，兴业信托、泉州金控、安芯基金与三安集团签署《战略合作框架协议》。兴业信托、泉州金控、安芯基金向三安集团增资和提供流动性不低于60亿元，我们认为方案顺利实施后，可以大幅增加公司控股股东的现金流，改善财务结构，降低控股股东股权质押比例。
1.2LED逐渐见底企稳，行业出清加速
年，公司实现营业收入74.60亿元，同比下降10.81%；归母净利润为12.98亿元，同比下降54.12%。Q1，公司实现营业收入16.82亿元，同比下降2.74%；归母净利润为3.92亿元，同比下降36.95%。Q1，LED主业受疫情影响较大，3月份销售收入才得到有效提升，化合物半导体进展顺利。
研发强度继续增强，针对化合物半导体及高端LED做重点投入。年，公司研发费用为1.97亿元，同比增长36.44%。公司聚集了一批国内外一流的半导体研发技术专家，年公司研发人员数量为人，占公司总人数的17.33%，同比增长人。
三安集成认可度和行业趋势已现，各产品线取得明显进展。三安集成在年全年实现收入2.41亿元，同比增长40.67%；Q1实现收入1.66亿元。年，砷化镓出货客户累计超过90家；氮化镓产品重要客户实现批量生产，产能爬坡；电力电子客户累计超过60家；光通讯向高附加值产品突破；滤波器产品有望在年实现销售。
LED处于底部，价格趋于相对稳定。LED供需结构阶段性失衡，产品价格下降。经过一段时间调整，中低端产品单价目前相对稳定。公司持续优化产品结构、实现差异化竞争，现有产线基础上，积极布局Mini/MicroLED、高光效LED、车用LED、紫外/红外LED等新兴应用领域。
三安光电作为化合物半导体龙头企业，LED主业逐渐趋稳，格局优化、产能出清，在砷化镓、氮化镓、碳化硅及滤波器等领域积极布局，预计公司的化合物半导体业务将逐步起量。
LED板块存货绝对值增长放缓，行业逐渐触底。年低端LED降幅已收敛，高端还有部分下降，整个LED的价格底部逐渐出现。年，存货增速已经放缓，随着行业回暖，报表压力有望逐渐下降。
三安光电作为行业龙头，毛利率一直领先于同行。三安在技术、规模等方面具有优势，随着LED产能的出清，三安光电在LED行业有望进一步巩固其行业龙头地位。三安光电保持一定的扩产速度，在相对竞争优势下，份额还有望进一步提升。等LED行业触底回暖，利润弹性将进一步增加。
二、向外拓展，深度布局化合物半导体
2.1化合物半导体优势无数，下游应用渗透不间断
第二代化合物半导体典型代表为GaAs，第三代化合物半导体典型代表为GaN、SiC。半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅（Si）、锗(Ge）等所形成的半导体，后者为砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多。
化合物半导体主要应用于（1）光电子，如LED、激光器等；（2）射频通信，如PA、LNA。开关、滤波器等；（3）电力电子，如二极管、MOSFET、IGBT等。
三大化合物半导体材料中，GaAs占大头，主要用于通讯领域，全球市场容量接近百亿美元，主要受益通信射频芯片尤其是PA升级驱动；GaN大功率、高频性能更出色，主要应用于军事领域，目前市场容量不到10亿美元，随着成本下降有望迎来广泛应用；SiC主要作为高功率半导体材料应用于汽车以及工业电力电子，在大功率转换应用中具有巨大的优势。
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速率大、热导率高、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一。
根据CASA，我国第三代半导体总产值约亿元（包含半导体照明）。年我国第三代化合物半导体电力电子产值近12.3亿元，同比增长13%；微波射频产值36.7亿元，同比增长20%；光电（主要为半导体照明）产值约亿元，同比增长13%。
根据CASA统计，年国内市场SiC和GaN电力电子器件的规模约为28亿元，同比增长56%，预计未来五年复合增速为38%。GaN微波射频应用市场规模约为24.49亿元，未来5年复合增速有望达60%
根据CASA，我国功率半导体市场国产化程度低，其中IGBT约90%依靠进口。SiC、GaN在电力电子领域渗透率约1.5~1.9%，SiC、GaN电力电子同样90%依赖于进口，主要为Cree、英飞凌、Rohm，国产的功率器件目前仅在SiC二极管有量产销售突破。
第三代半导体材料器件在太阳能光伏、新能源汽车和工业及商业应用三个领域取得较大进展。我国第三代半导体电力电子器件领域主要应用于工业及商业电源、消费类电源（PFC）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、新能源汽车和工业电机等。
其中，电源领域是第三代半导体电力电子器件领域最大的市场，规模约为16.2亿元，占到整个第三代半导体电力电子器件市场规模的近58%。
光伏逆变器中SiC渗透率也逐年提升，目前规模达到6.8亿元，渗透率有望到20%。
新能源汽车领域第三代电力电子器件市场规模目前1.5亿元，同比增长87%，主要来自于充电桩贡献，新能源整车市场仍未起航，器件的渗透率有待进一步提升。据CASA测算，年新能源汽车上功率电子器件的市场规模高达6亿元，而第三代半导体电力电子器件的市场规模仅万元。直流充电桩为例，电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%。
2.2布局化合物半导体，进入收获期
由三安光电研发的III-V族化合物半导体材料的应用领域从原有的LED外延片、芯片，延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体三个新领域，基本涵盖了今后Ⅲ-V族化合物半导体材料应用的重要领域。这一布局，除了将为三安光电每年在营收上带来贡献，进一步扩大公司体量。
目前三安集成全工艺平台布局，在HBT、pHEMT、GaN以及碳化硅领域均进行工艺开发及工艺鉴定试验：
根据三安集成
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